武汉高芯申请非制冷红外探测器像素级封装结构及制备方法专利，让结构稳定性大大加强

发布时间：2024-12-30 20:20

金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“一种非制冷红外探测器像素级封装结构及制备方法”的专利，公开号 CN 119143072 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及非制冷红外探测器技术领域，更具体涉及一种非制冷红外探测器像素级封装结构及制备方法，包括在内置读出电路的基底上制作像元微桥结构，像元微桥结构中的桥柱内部具有第一空腔，并在第一空腔内填满填充材料，形成第一层实心孔柱。在第一层制作完成的结构上形成腔体结构，腔体结构于沉积孔处形成内部具有第二空腔的支撑柱，在第二空腔内填满填充材料形成第二层的实心孔柱。还在腔体结构上开设释放孔，对腔体结构内的所有牺牲层进行释放，再沉积一层腔体结构膜层对释放孔进行封堵，以封闭整个腔体，从而形成两层实心的支撑柱结构，即柱子顶柱子结构，使结构稳定性大大加强，也更进一步地保证了结构的稳定性。

本文源自：金融界

作者：情报员

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